کالایی در سبد خرید نیست
ترانزیستور IRF7105TRPBF
ترانزیستور IRF7105TRPBF
شناسه محصول:
942-IRF7105TRPBFنام برند:
Infineonمدت زمان ارسال:
ارسال آنیارسال:
پست، الوپیک، تیپاکس| تعداد | قیمت | مجموع قیمت به تومان |
| 10+ | 320,000 | 3,200,000 |
| 100+ | 204,600 | 20,460,000 |
| 1000+ | 135,000 | 135,000,000 |
| 10000+ | 95,000 | 950,000,000 |
بررسی تخصصی ترانزیستور MOSFET دوتایی IRF7105TRPBF
IRF7105TRPBF یک مدار مجتمع حاوی دو ترانزیستور MOSFET مجزا در یک پکیج واحد SO-8 است. این دیوایس شامل یک ترانزیستور کانال N و یک ترانزیستور کانال P است که به طور معمول در پیکربندیهای مختلفی مانند سوییچهای سطح منطقی، درایورهای موتور، و مدارهای معکوسکننده (Inverters) استفاده میشود. حرف “PBF” در انتهای پارت نامبر، نشاندهنده Lead-Free بودن قطعه است.
IRF7105TRPBF یک ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET) دوکاناله از شرکت Infineon Technologies (که قبلاً International Rectifier بود) است. این قطعه برای سوییچینگ توان با کارایی بالا در مدارهای ولتاژ پایین طراحی شده است.
مشخصات فنی کلیدی
| مشخصه فنی (Technical Specification) | جزئیات و مقدار (Value) |
| تولیدکننده | Infineon Technologies (یا International Rectifier) |
| نوع قطعه | MOSFET دوتایی (Dual MOSFET) |
| کانالها | یک N-Channel و یک P-Channel |
| حداکثر ولتاژ درین-سورس | ±12V |
| حداکثر جریان درین | ۵.۵S |
| حداکثر جریان درین | ۴.۵A- |
| مقاومت درین-سورس روشن | بسیار پایین (مثلاً 35mΩ برای N-Channel) |
| بستهبندی/کیس (Package) | SO-8 (Surface Mount) |
| مقاومت درین-سورس روشن | 35mΩ (N-Channel) / (P-Channel) 50mΩ |
ویژگیها و کاربردهای کلیدی
Dual N/P Channel: ترکیب هر دو نوع MOSFET کانال N و کانال P در یک پکیج، امکان ساخت مدارهای سوییچینگ پیچیده مانند اینورترهای مکمل (Complementary Inverters)، سوییچهای دوطرفه (Bi-Directional Switches) و مدارهای لول شیفتر (Level Shifters) را در فضای بسیار کوچک فراهم میکند.
RDS(on) پایین: مقاومت روشن بسیار پایین (به خصوص 35mΩ برای کانال N) باعث میشود که در هنگام سوییچینگ، توان بسیار کمی به صورت حرارت تلف شود، که کارایی مدار را افزایش میدهد و نیاز به دفع حرارت اضافی را کاهش میدهد.
ولتاژ پایین (12V): این MOSFET برای کاربردهای ولتاژ پایین مانند سیستمهای تغذیه باتری، مدیریت توان لپتاپها، و دستگاههای قابل حمل بهینه شده است.
پکیج SO-8: این پکیج استاندارد SMD بسیار رایج است و امکان مونتاژ سریع و استفاده در بردهای با تراکم بالا را فراهم میکند.
کاربردها:
مدیریت توان باتری (Battery Management Systems).
درایورهای موتور با پل H (H-Bridge Motor Drivers) با توان کم/متوسط.
مدارهای مبدل DC-DC با توپولوژی پوش-پول (Push-Pull) یا سوییچهای Load Side.
سوییچینگ سطح منطقی (Logic Level Switching) در دستگاههای قابل حمل.
سوالات متداول
1. آیا مناسب کاربرد با ولتاژ 12–24 V است؟
بله، IRF7105 گستره ولتاژ ±25 V را پوشش میدهد و با R<sub>DS(on)</sub> کم مناسب است.
2. چگونه گرما را دفع کنیم؟
استفاده از vias زیر SOIC و مس اضافی در اطراف IC توصیه میشود.
3. میتوان از آن در سرعت سوئیچ بالا استفاده کرد؟
Gate charge ~27 nC امکان سوئیچ تا چندصد کیلوهرتز را فراهم میکند.
| عنوان | مشخصات |
|---|---|
| V<sub>DSS</sub> | ±25 V |
| Id (کانال N) | 3.5 A @ 25 °C |
| Id (کانال P) | 2.3 A @ 25 °C |
| DS(on) | 100 mΩ / 250 mΩ @ VGS=10 V |
| Qg (Gate Charge) | ~27 nC @ 10 V |
| Ciss | ≈ 330 pF @ 15 V |
| قدرت تلفاتی | 2 W |
| دمای کاری | –55 °C تا +150 °C |
| GS(th) | حدود 3 V برای N‑Channel |
