لیست قیمت
| مجموع قیمت(تومان) | قیمت واحد(تومان) | تعداد |
|---|---|---|
| 96,000 | 96,000 | 1+ |
| 673,600 | 67,360 | 10+ |
| 5,888,000 | 58,880 | 100+ |
| 28,000,000 | 56,000 | 500+ |
| 51,200,000 | 51,200 | 1000+ |
| 179,200,000 | 44,800 | 4000+ |
فیلتر NUF2042XV6T1G
:کد محصول 863-NUF2042XV6T1G
معرفی تخصصی فیلتر EMI/RFI با آرایه دیود ESD مدل NUF2042XV6T1G
NUF2042XV6T1G یک قطعه الکترونیکی تخصصی است که دو وظیفه حیاتی را در مدارهای الکترونیکی حساس انجام میدهد: فیلتر کردن نویز الکترومغناطیسی (EMI/RFI) و محافظت در برابر تخلیه الکترواستاتیک (ESD). این قطعه برای محافظت از مدارهای پردازش سیگنال با سرعت بالا که به پورت های ورودی/خروجی (I/O) متصل هستند، طراحی شده است.
این قطعه در یک بسته بندی مینیاتوری SOT-563 عرضه میشود و به طور خاص برای محافظت از دو کانال داده مجزا در برابر نویز و پیکهای ولتاژ ناگهانی طراحی شده است.
| مشخصه فنی (Technical Specification) | جزئیات |
| تولیدکننده | Onsemi (ON Semiconductor) |
| عملکرد اصلی | فیلتر EMI/RFI و حفاظت ESD |
| تعداد کانال | ۲ کانال (2-Line Filtering) |
| مقدار فیلتر | خازن جانبی فیلتر(12pF Typically) |
| فرکانس قطع ($f_c$) | متناسب با مقاومت سری داخلی، معمولاً در محدوده 100MHZ تا 200MHZ |
| ساختار داخلی | آرایه دیود زنر با فیلتر R-C (مقاومت سری و خازن شنت) |
| بستهبندی/کیس (Package) | SOT-563 (بسیار کوچک) |
| سطح حفاظت ESD | بیش از 15KV (تماسی) مطابق با استاندارد IEC61000-4-2 |
| جریان نشتی معکوس ($I_R$) | بسیار کم (Low Leakage Current) |
دو عملکرد کلیدی (Dual Functionality)
این قطعه با ترکیب ساختار R-C Filter و ESD Diode Array، دو لایه محافظتی فراهم میکند:
۱. فیلتر EMI/RFI (نویز الکترومغناطیسی)
-
ساختار فیلتر: این قطعه دارای یک فیلتر پایینگذر (Low-Pass Filter) از نوع RC است. مقاومت سری (R) و خازن موازی (C) باعث میشوند که سیگنالهای با فرکانس بالا (نویزهای EMI/RFI) قبل از رسیدن به مدار حساس، تضعیف شوند.
-
کاربرد: ایدهآل برای جلوگیری از تداخل نویزهای خارجی و همچنین کاهش انتشار نویز تولید شده توسط خود مدار.
۲. حفاظت ESD (تخلیه الکترواستاتیک)
-
عملکرد دیودهای زنر: دیودهای زنر (TVS Diodes) موازی با خطوط داده به زمین (GND) قرار میگیرند. در شرایط عادی، مقاومت بالایی دارند، اما به محض دریافت یک پیک ولتاژ بسیار بالا (مانند ESD)، سریعاً به حالت شکست (Breakdown) رفته و انرژی مخرب را به زمین هدایت میکنند.
-
اهمیت: حفاظت از مدارهای مجتمع (IC) حساس، مانند کنترلرها و پردازندههای موبایل و تبلت، که مستقیماً به کانکتورهای خارجی متصل هستند.
کاربردها و مزایای NUF2042XV6T1G
-
دستگاههای قابل حمل (Portable Devices): حفاظت از پورتهای USB، صدا (Audio Jacks) و دکمههای کنترلی.
-
تلفنها هوشمند: در خطوط داده صفحهکلید (Keypad) یا خطوط سیگنال سنسورها.
-
مزیت ابعاد (SOT-563): پکیج بسیار کوچک ششپین، امکان طراحی بردهای با تراکم قطعات بسیار بالا و کاهش مساحت PCB را فراهم میکند.
-
یکپارچگی: ترکیب فیلتر و محافظت ESD در یک قطعه، هزینهها و پیچیدگی طراحی را کاهش میدهد.
فیلتر NUF2042XV6T1G
کد محصول 863-NUF2042XV6T1Gلیست قیمت
| مجموع قیمت | قیمت | تعداد |
|---|---|---|
| 96,000 | 96,000 | 1+ |
| 673,600 | 67,360 | 10+ |
| 5,888,000 | 58,880 | 100+ |
| 28,000,000 | 56,000 | 500+ |
| 51,200,000 | 51,200 | 1000+ |
| 179,200,000 | 44,800 | 4000+ |
معرفی تخصصی فیلتر EMI/RFI با آرایه دیود ESD مدل NUF2042XV6T1G
NUF2042XV6T1G یک قطعه الکترونیکی تخصصی است که دو وظیفه حیاتی را در مدارهای الکترونیکی حساس انجام میدهد: فیلتر کردن نویز الکترومغناطیسی (EMI/RFI) و محافظت در برابر تخلیه الکترواستاتیک (ESD). این قطعه برای محافظت از مدارهای پردازش سیگنال با سرعت بالا که به پورت های ورودی/خروجی (I/O) متصل هستند، طراحی شده است.
این قطعه در یک بسته بندی مینیاتوری SOT-563 عرضه میشود و به طور خاص برای محافظت از دو کانال داده مجزا در برابر نویز و پیکهای ولتاژ ناگهانی طراحی شده است.
| مشخصه فنی (Technical Specification) | جزئیات |
| تولیدکننده | Onsemi (ON Semiconductor) |
| عملکرد اصلی | فیلتر EMI/RFI و حفاظت ESD |
| تعداد کانال | ۲ کانال (2-Line Filtering) |
| مقدار فیلتر | خازن جانبی فیلتر(12pF Typically) |
| فرکانس قطع ($f_c$) | متناسب با مقاومت سری داخلی، معمولاً در محدوده 100MHZ تا 200MHZ |
| ساختار داخلی | آرایه دیود زنر با فیلتر R-C (مقاومت سری و خازن شنت) |
| بستهبندی/کیس (Package) | SOT-563 (بسیار کوچک) |
| سطح حفاظت ESD | بیش از 15KV (تماسی) مطابق با استاندارد IEC61000-4-2 |
| جریان نشتی معکوس ($I_R$) | بسیار کم (Low Leakage Current) |
دو عملکرد کلیدی (Dual Functionality)
این قطعه با ترکیب ساختار R-C Filter و ESD Diode Array، دو لایه محافظتی فراهم میکند:
۱. فیلتر EMI/RFI (نویز الکترومغناطیسی)
-
ساختار فیلتر: این قطعه دارای یک فیلتر پایینگذر (Low-Pass Filter) از نوع RC است. مقاومت سری (R) و خازن موازی (C) باعث میشوند که سیگنالهای با فرکانس بالا (نویزهای EMI/RFI) قبل از رسیدن به مدار حساس، تضعیف شوند.
-
کاربرد: ایدهآل برای جلوگیری از تداخل نویزهای خارجی و همچنین کاهش انتشار نویز تولید شده توسط خود مدار.
۲. حفاظت ESD (تخلیه الکترواستاتیک)
-
عملکرد دیودهای زنر: دیودهای زنر (TVS Diodes) موازی با خطوط داده به زمین (GND) قرار میگیرند. در شرایط عادی، مقاومت بالایی دارند، اما به محض دریافت یک پیک ولتاژ بسیار بالا (مانند ESD)، سریعاً به حالت شکست (Breakdown) رفته و انرژی مخرب را به زمین هدایت میکنند.
-
اهمیت: حفاظت از مدارهای مجتمع (IC) حساس، مانند کنترلرها و پردازندههای موبایل و تبلت، که مستقیماً به کانکتورهای خارجی متصل هستند.
کاربردها و مزایای NUF2042XV6T1G
-
دستگاههای قابل حمل (Portable Devices): حفاظت از پورتهای USB، صدا (Audio Jacks) و دکمههای کنترلی.
-
تلفنها هوشمند: در خطوط داده صفحهکلید (Keypad) یا خطوط سیگنال سنسورها.
-
مزیت ابعاد (SOT-563): پکیج بسیار کوچک ششپین، امکان طراحی بردهای با تراکم قطعات بسیار بالا و کاهش مساحت PCB را فراهم میکند.
-
یکپارچگی: ترکیب فیلتر و محافظت ESD در یک قطعه، هزینهها و پیچیدگی طراحی را کاهش میدهد.