وضعیت : موجود

:تعداد موجودی

60 عدد

:مدت زمان تحویل

ارسال آنی

لیست قیمت

مجموع قیمت(تومان)	قیمت واحد(تومان)	تعداد
2,552,000	255,200	10+
16,316,850	163,169	100+
107,662,500	107,663	1000+
757,625,000	75,763	10000+

ترانزیستور IRF7105TRPBF

Name: ترانزیستور IRF7105TRPBF
Brand: Infineon
SKU: 942-IRF7105TRPBF
Price: 255200 IRR
Availability: InStock

:کد محصول 942-IRF7105TRPBF

:VDSS ±25 V

:Id (کانال N) 3.5 A @ 25 °C

:Id (کانال P) 2.3 A @ 25 °C

:DS(on) 100 mΩ / 250 mΩ @ VGS=10 V

:Qg (Gate Charge) ~27 nC @ 10 V

:Ciss ≈ 330 pF @ 15 V

:قدرت تلفاتی 2 W

:دمای کاری –55 °C تا +150 °C

:GS(th) حدود 3 V برای N‑Channel

توضیحات

بررسی تخصصی ترانزیستور MOSFET دوتایی IRF7105TRPBF

IRF7105TRPBF یک مدار مجتمع حاوی دو ترانزیستور MOSFET مجزا در یک پکیج واحد SO-8 است. این دیوایس شامل یک ترانزیستور کانال N و یک ترانزیستور کانال P است که به طور معمول در پیکربندی‌های مختلفی مانند سوییچ‌های سطح منطقی، درایورهای موتور، و مدارهای معکوس‌کننده (Inverters) استفاده می‌شود. حرف “PBF” در انتهای پارت نامبر، نشان‌دهنده Lead-Free بودن قطعه است.

IRF7105TRPBF یک ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET) دوکاناله از شرکت Infineon Technologies (که قبلاً International Rectifier بود) است. این قطعه برای سوییچینگ توان با کارایی بالا در مدارهای ولتاژ پایین طراحی شده است.

مشخصات فنی کلیدی

مشخصه فنی (Technical Specification)	جزئیات و مقدار (Value)
تولیدکننده	Infineon Technologies (یا International Rectifier)
نوع قطعه	MOSFET دوتایی (Dual MOSFET)
کانال‌ها	یک N-Channel و یک P-Channel
حداکثر ولتاژ درین-سورس	±12V
حداکثر جریان درین	$۵.۵ \text{ آمپر} (5.5 \text{ A})$
حداکثر جریان درین	$-۴.۵ \text{ آمپر} (-4.5 \text{ A})$
مقاومت درین-سورس روشن	بسیار پایین (مثلاً 35mΩ برای N-Channel)
بسته‌بندی/کیس (Package)	SO-8 (Surface Mount)
مقاومت درین-سورس روشن	35mΩ (N-Channel) / (P-Channel) $\mathbf{50 \text{ m}\Omega}$

ویژگی‌ها و کاربردهای کلیدی

Dual N/P Channel: ترکیب هر دو نوع MOSFET کانال N و کانال P در یک پکیج، امکان ساخت مدارهای سوییچینگ پیچیده مانند اینورترهای مکمل (Complementary Inverters)، سوییچ‌های دوطرفه (Bi-Directional Switches) و مدارهای لول شیفتر (Level Shifters) را در فضای بسیار کوچک فراهم می‌کند.
R_DS(on) پایین: مقاومت روشن بسیار پایین (به خصوص $35 \text{ m}\Omega$ برای کانال N) باعث می‌شود که در هنگام سوییچینگ، توان بسیار کمی به صورت حرارت تلف شود، که کارایی مدار را افزایش می‌دهد و نیاز به دفع حرارت اضافی را کاهش می‌دهد.
ولتاژ پایین (12V): این MOSFET برای کاربردهای ولتاژ پایین مانند سیستم‌های تغذیه باتری، مدیریت توان لپ‌تاپ‌ها، و دستگاه‌های قابل حمل بهینه شده است.
پکیج SO-8: این پکیج استاندارد SMD بسیار رایج است و امکان مونتاژ سریع و استفاده در بردهای با تراکم بالا را فراهم می‌کند.

کاربردها:

مدیریت توان باتری (Battery Management Systems).
درایورهای موتور با پل H (H-Bridge Motor Drivers) با توان کم/متوسط.
مدارهای مبدل DC-DC با توپولوژی پوش-پول (Push-Pull) یا سوییچ‌های Load Side.
سوییچینگ سطح منطقی (Logic Level Switching) در دستگاه‌های قابل حمل.

سوالات متداول (FAQ)

1. آیا مناسب کاربرد با ولتاژ 12–24 V است؟
بله، IRF7105 گستره ولتاژ ±25 V را پوشش می‌دهد و با RDS(on) کم مناسب است.

2. چگونه گرما را دفع کنیم؟
استفاده از vias زیر SOIC و مس اضافی در اطراف IC توصیه می‌شود.

3. می‌توان از آن در سرعت سوئیچ بالا استفاده کرد؟
Gate charge ~27 nC امکان سوئیچ تا چندصد کیلوهرتز را فراهم می‌کند.

ترانزیستور IRF7105TRPBF

کد محصول 942-IRF7105TRPBF

±25 V VDSS

3.5 A @ 25 °C Id (کانال N)

2.3 A @ 25 °C Id (کانال P)

100 mΩ / 250 mΩ @ VGS=10 V DS(on)

~27 nC @ 10 V Qg (Gate Charge)

≈ 330 pF @ 15 V Ciss

2 W قدرت تلفاتی

–55 °C تا +150 °C دمای کاری

حدود 3 V برای N‑Channel GS(th)